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IRFR220NTRPBF

IRFR220NTRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IRFR220NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V

是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 低栅极-漏极电荷, 以降低开关损耗。适用于高频DC-DC转换器。

SP001577980

.
完全表征电容, 包括有效COSS, 可简化设计
.
全面表征雪崩电压和电流
.
低静态漏-源导通电阻
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动态dV/dt额定值

得捷:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK


立创商城:
N沟道 200V 5A


欧时:
INFINEON MOSFET IRFR220NTRPBF


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# INFINEON  IRFR220NTRPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 200V 5A 600mOhm TO252 **


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK


IRFR220NTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 43 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.6 Ω

极性 N-CH

耗散功率 43 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 300pF @25VVds

额定功率Max 43 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRFR220NTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFR220NTRPBF
型号 制造商 描述 购买
IRFR220NTRPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRFR220NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IRFR220NTRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR220NTRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-CH 200V 5A

当前型号

INFINEON  IRFR220NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IRFR220NPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 200V 5A

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INFINEON  IRFR220NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 V

IRFR220NTRPBF和IRFR220NPBF的区别

型号: IRFR220NTRLPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 200V 5A

类似代替

N沟道 200 V 43 W 15 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA

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型号: IRFR220NTRRPBF

品牌: 英飞凌

封装: DPAK N-Channel 200V 5A

类似代替

N沟道 200V 5A

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