BSM25GD120DN2、FS25R12KT3BOSA1、BSM25GD120DN2E3224对比区别

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型号 BSM25GD120DN2 FS25R12KT3BOSA1 BSM25GD120DN2E3224

描述 INFINEON  BSM25GD120DN2  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 40 A, 1.7 V, 145 W, 1.2 kV, ModuleTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200000mW 17Pin ECONOPACK 2 T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

引脚数 17 28 -

封装 EconoPACK AG-ECONO2-6 EconoPACK2-2

安装方式 Through Hole - Screw

耗散功率 200 W 145 W 200 W

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -

输入电容(Cies) - 1.8nF @25V -

额定功率(Max) - 145 W -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 200 W 145000 mW -

针脚数 17 - -

极性 N-Channel - -

封装 EconoPACK AG-ECONO2-6 EconoPACK2-2

长度 107.5 mm - -

宽度 45 mm - 45 mm

高度 17 mm - -

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Not Recommended for New Design Active Obsolete

包装方式 - Tray Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99