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IR2153STRPBF、L6571BD013TR、IR2153STR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2153STRPBF L6571BD013TR IR2153STR

描述 IC,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)门驱动器 Hi-Volt Half BridgeMOSFET DRVR 600V 0.4A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 16.6V (max) 20.0V (max)

上升/下降时间 80ns, 45ns - 80ns, 45ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 625 mW - 625 mW

产品系列 - - IR2153S

下降时间(Max) 100 ns - 100 ns

上升时间(Max) 150 ns - 150 ns

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

电源电压 10V ~ 15.6V 10V ~ 16.6V 10V ~ 15.6V

供电电流 - 25.0 mA -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

通道数 2 - -

静态电流 500 µA - -

上升时间 80 ns - -

下降时间 45 ns - -

电源电压(Max) 20 V - -

电源电压(Min) 10 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 1.5 mm 1.65 mm -

长度 4.98 mm - -

宽度 3.99 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -