IR2153STR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IR2153STR中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 20.0V max
上升/下降时间 80ns, 45ns
输出接口数 2
耗散功率 625 mW
产品系列 IR2153S
下降时间Max 100 ns
上升时间Max 150 ns
耗散功率Max 625 mW
电源电压 10V ~ 15.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IR2153STR引脚图与封装图
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在线购买IR2153STR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IR2153STR | Infineon 英飞凌 | MOSFET DRVR 600V 0.4A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号IR2153STR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IR2153STR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | MOSFET DRVR 600V 0.4A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： IR2153STRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL | 完全替代 | IC，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier | IR2153STR和IR2153STRPBF的区别 |