FDMS7560S、FDMS7572S、FDMS7558S对比区别

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型号 FDMS7560S FDMS7572S FDMS7558S

描述 N沟道PowerTrench® SyncFETTM 25 V ， 49 A， 1.45 MI © N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.45 mΩFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS7572S  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 25 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1.7 VPowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56-8 Power-56-8 Power-56-8

通道数 1 - 1

漏源极电阻 0.0012 Ω 0.0024 Ω 0.001 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 46 W 89 W

阈值电压 1.7 V 1.7 V 1.6 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

漏源击穿电压 25 V - 25 V

连续漏极电流(Ids) 30A 23A 32A

上升时间 7.4 ns 4 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 5945pF @13V(Vds) 2780pF @13V(Vds) 7770pF @13V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

下降时间 4.8 ns 3 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc)

针脚数 - 8 -

长度 6 mm 5 mm 5 mm

宽度 5 mm 6 mm 6 mm

高度 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm

封装 Power-56-8 Power-56-8 Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15