通道数 1
漏源极电阻 0.0012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 7.4 ns
输入电容Ciss 5945pF @13VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 89W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMS7560S | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench® SyncFETTM 25 V , 49 A, 1.45 MI © N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.45 mΩ | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDMS7560S 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: Power-56-8 N-Channel 25V 30A | 当前型号 | N沟道PowerTrench® SyncFETTM 25 V , 49 A, 1.45 MI © N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.45 mΩ | 当前型号 | |
型号: FDMS7692 品牌: 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 30V 14A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDMS7560S和FDMS7692的区别 | |
型号: FDMS7558S 品牌: 飞兆/仙童 封装: Power-56-8 N-Channel 25V 32A | 类似代替 | PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDMS7560S和FDMS7558S的区别 | |
型号: FDMS7580 品牌: 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 25V 15A | 类似代替 | N沟道功率MOSFET的沟道25 V , 7.5英里© N-Channel Power Trench MOSFET 25 V, 7.5 mΩ | FDMS7560S和FDMS7580的区别 |