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BQ2002FSN、BQ2002GSNTR、BQ2002FSNG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ2002FSN BQ2002GSNTR BQ2002FSNG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  BQ2002FSN  芯片, 镍镉/镍氢电池快速充电控制器Battery Charge Management NiCd/NiMH Charge Controller with Negative dV and Peak Voltage Detection Termination Fast Charge Management NiCD/NiMH 8Pin SOIC T/R镍镉/镍氢电池快速充电管理IC NiCd/NiMH Fast-Charge Management ICs

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电池管理芯片电池管理芯片电池管理芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 2 A 2 A 2 A

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4 V 4 V 5 V

输入电压(DC) 6.00 V - 6.00 V

电源电压(DC) 6.00V (max) - -

针脚数 8 - -

电源电压(Max) 6 V - -

输入电压 6 V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -