TLV2432AQDRQ1、TLV2432CDR、TLV2432AQDG4对比区别

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型号 TLV2432AQDRQ1 TLV2432CDR TLV2432AQDG4

描述 高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨输出，宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS双路高级 LinCMOS 和轨到轨输出 10V 运算放大器 8-SOIC 0 to 70高级 LinCMOS™ 轨到轨输出、宽输入电压、双路运算放大器 8-SOIC -40 to 125

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 200 µA 100 µA 200 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 500 kHz 500 kHz 500 kHz

转换速率 250 mV/μs 250 mV/μs 250 mV/μs

增益频宽积 0.55 MHz 0.55 MHz 550 kHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 0.55 MHz 0.55 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 - 2.7V ~ 10V -

电源电压(Max) - 10 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

高度 - - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -