MRF581A、MRF586对比区别

高亮显示差异参数

型号 MRF581A MRF586

描述 射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 4 3

封装 Micro-X TO-205

耗散功率 1250 mW 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 17 V

增益 13dB ~ 15.5dB 13.5 dB

最小电流放大倍数(hFE) 90 @50mA, 5V 40 @50mA, 5V

额定功率(Max) 1.25 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1250 mW 1000 mW

频率 - 3000 MHz

高度 2.54 mm 6.6 mm

封装 Micro-X TO-205

工作温度 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free