MTD5P06VT4G、MTD6N20ET4G、IRFR9024NPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 MTD5P06VT4G MTD6N20ET4G IRFR9024NPBF

描述 ON SEMICONDUCTOR  MTD5P06VT4G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 VON SEMICONDUCTOR  MTD6N20ET4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 VP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -60.0 V 200 V -

额定电流 -5.00 A 6.00 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.34 Ω 0.46 Ω 0.175 Ω

极性 P-Channel N-Channel P-Channel

耗散功率 40 W 50 W 38 W

阈值电压 2.8 V 3 V 4 V

输入电容 510 pF 480 pF 350 pF

栅电荷 20.0 nC 21.0 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 200 V 55 V

漏源击穿电压 60.0 V 200 V -

栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 6.00 A 11A

上升时间 26 ns 29 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 40 W 1.75 W 38 W

下降时间 19 ns 20 ns 37 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 40W (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) 38W (Tc)

额定功率 - - 38 W

反向恢复时间 - - 47 ns

正向电压(Max) - - 1.6 V

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.38 mm 2.38 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2018/01/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -