SD56120、SD57120、SD56120M对比区别

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型号 SD56120 SD57120 SD56120M

描述 射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORSRF功率晶体管的LdmoSTFAMILY RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILYRF功率晶体管的LDMOST系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Flange Screw

引脚数 5 5 5

封装 M-246 M-252 M-252

频率 860 MHz 960 MHz 860 MHz

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V 65.0 V

额定电流 14 A 14 A 14 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 217 W 236000 mW 236000 mW

输入电容 82.0 pF 169 pF 221 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 65.0 V 65 V

漏源击穿电压 65 V 65.0V (min) 65.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 14.0 A

输出功率 100 W 120 W 120 W

增益 16 dB 14 dB 16 dB

测试电流 400 mA 800 mA 400 mA

输入电容(Ciss) 82pF @28V(Vds) 169pF @28V(Vds) 221pF @28V(Vds)

输出功率(Max) 100 W 120 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 217000 mW 236000 mW 236000 mW

额定电压 65 V 65 V 65 V

长度 29.08 mm - -

宽度 5.97 mm - -

高度 5.08 mm - -

封装 M-246 M-252 M-252

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99