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SD56120

射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS

**HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF**

**VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications**

**HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT**

VHF / UHF radio applications

**HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages**

**UHF TV and digital cellular BTS applications**

**2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs**

HF / SSB, FM / VHF broadband applications

**2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB**

SD56120中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

额定电压DC 65.0 V

额定电流 14 A

极性 N-Channel

耗散功率 217 W

输入电容 82.0 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 65 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

输出功率 100 W

增益 16 dB

测试电流 400 mA

输入电容Ciss 82pF @28VVds

输出功率Max 100 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 217000 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 M-246

外形尺寸

长度 29.08 mm

宽度 5.97 mm

高度 5.08 mm

封装 M-246

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SD56120引脚图与封装图
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在线购买SD56120
型号 制造商 描述 购买
SD56120 ST Microelectronics 意法半导体 射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS 搜索库存
替代型号SD56120
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SD56120

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: Case N-Channel 65V 14A 82pF

当前型号

射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS

当前型号

型号: SD57120

品牌: 意法半导体

封装: M-252 N-Channel 65V 14A 169pF

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型号: SD56120M

品牌: 意法半导体

封装: Case N-Channel 65V 14A 221pF

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