KSH2955TF、MJD2955、NJVMJD2955T4G对比区别

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型号 KSH2955TF MJD2955 NJVMJD2955T4G

描述 PNP 1.75 W 60 V 10 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3互补功率晶体管 Complementary Power Transistors互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -10.0 A -

极性 - PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - 100 -

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

频率 2 MHz - 2 MHz

耗散功率 1.75 W - 1.75 W

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free