STB24NM65N、STB55NF06T4、STL26NM60N对比区别
型号 STB24NM65N STB55NF06T4 STL26NM60N
描述 STMICROELECTRONICS STB24NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19 A, 650 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STL26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 5
封装 TO-263-3 TO-263-3 PowerFlat-4
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 5
漏源极电阻 0.16 Ω 0.015 Ω 0.16 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 110 W 125 W
阈值电压 3 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 60 V 600 V
漏源击穿电压 650 V 60.0 V -
连续漏极电流(Ids) 19A 50.0 A 19A
上升时间 10 ns 50 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 2500pF @50V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1800pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 110 W 125 mW
下降时间 20 ns 15 ns 50 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 110W (Tc) 125mW (Ta), 3W (Tc)
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 50.0 A -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 9.35 mm 9.35 mm -
高度 4.6 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 PowerFlat-4
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -