VND1NV04、VND1NV04TR-E、VND1NV04-E对比区别

高亮显示差异参数

型号 VND1NV04 VND1NV04TR-E VND1NV04-E

描述 “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsVN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 开关电源FET驱动器电源管理

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

供电电流 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA

耗散功率 35000 mW 35 W 35 W

输出电流(Max) 1.7 A 1.7 A 1.7 A

输出电流(Min) 1.7 A 1.7 A 1.7 A

耗散功率(Max) 35000 mW 35000 mW 35000 mW

输出电流 - 1.7 A 1.7 A

上升时间 - 500 ns 500 ns

输入数 - 1 1

下降时间 - 600 ns 600 ns

额定功率 - 35 W -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.25 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 2.5 V -

漏源极电压(Vds) - 55 V -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 500 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

高度 2.4 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99