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VND1NV04-E

VND1NV04-E

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VN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK

This low side power switch by STMicroelectronics is designed to connect a load to a power supply. This charge controller has single output. This device has a maximum power dissipation of 35000 mW. It features 0.25Max Ohm switch on resistance. This device has a supply current of 0.1 mA and a minimum output current of 1.7 A. Its maximum power dissipation is 35000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube.

VND1NV04-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 1.7 A

供电电流 0.1 mA

耗散功率 35 W

上升时间 500 ns

输出电流Max 1.7 A

输出电流Min 1.7 A

输入数 1

下降时间 600 ns

耗散功率Max 35000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VND1NV04-E引脚图与封装图
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在线购买VND1NV04-E
型号 制造商 描述 购买
VND1NV04-E ST Microelectronics 意法半导体 VN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK 搜索库存
替代型号VND1NV04-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： VND1NV04-E

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装：

当前型号

VN750 系列 6 A 36 V 60 mOhm 单 表面贴装 高压侧 驱动器 - P2PAK

当前型号

型号： VND1NV04TR-E

品牌： 意法半导体

封装： DPAK-2 3Pin

完全替代

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

VND1NV04-E和VND1NV04TR-E的区别

型号： VND1NV0413TR

品牌： 意法半导体

封装：

类似代替

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VND1NV04-E和VND1NV0413TR的区别

型号： VND1NV04

品牌： 意法半导体

封装：

类似代替

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

VND1NV04-E和VND1NV04的区别