IR2011S、IR2011SPBF、IR2011STRPBF对比区别

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型号 IR2011S IR2011SPBF IR2011STRPBF

描述 200V High and Low Side Driver IC with typical 1A source and 1A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.INFINEON  IR2011SPBF  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min) 10.0V (min)

工作电压 - 10V ~ 20V -

上升/下降时间 35ns, 20ns 35ns, 20ns 35ns, 20ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 200 V, 10.0 V (min) 10.20 V -

输出电流 - 1 A 1 A

通道数 2 2 -

针脚数 - 8 -

耗散功率 - 625 mW 625 mW

上升时间 - 50 ns 50 ns

下降时间 - 35 ns 35 ns

下降时间(Max) - 35 ns 35 ns

上升时间(Max) - 50 ns 50 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V -

电源电压(Min) - 10 V -

额定功率 - - 0.625 W

静态电流 - - 140 µA

产品系列 IR2011 - -

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.50 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99