IR2011S
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IR2011S中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 20.0V max
上升/下降时间 35ns, 20ns
输出接口数 2
输出电压 200 V, 10.0 V min
通道数 2
产品系列 IR2011
电源电压 10V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IR2011S引脚图与封装图 
IR2011S电路图
在线购买IR2011S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IR2011S | Infineon 英飞凌 | 200V High and Low Side Driver IC with typical 1A source and 1A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. | 搜索库存 |
替代型号IR2011S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IR2011S 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC 20V 8Pin | 当前型号 | 200V High and Low Side Driver IC with typical 1A source and 1A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. | 当前型号 |
| 型号： IR2011STRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 10V 8Pin | 类似代替 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IR2011S和IR2011STRPBF的区别 |
| 型号： IR2011SPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 10V 8Pin | 功能相似 | INFINEON IR2011SPBF 芯片, MOSFET驱动器 高边&低边 | IR2011S和IR2011SPBF的区别 |