2N3507、JANTXV2N3507、JAN2N3507对比区别

高亮显示差异参数

型号 2N3507 JANTXV2N3507 JAN2N3507

描述 NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORTO-39 NPN 50V 3ATO-39 NPN 50V 3A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-39 TO-205

极性 - NPN NPN

耗散功率 1 W 1000 mW 1 W

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) - - 30 @1.5A, 2V

额定功率(Max) - - 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

封装 TO-39 TO-39 TO-205

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - EAR99