BUJ100AT、BUJ100,412、BUJ100LR对比区别
型号 BUJ100AT BUJ100,412 BUJ100LR
描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorTrans GP BJT NPN 400V 1A 3Pin SPT BulkNXP BUJ100LR 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 2.1 W, 1 A, 7.5 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
封装 SC-73 TO-226-3 SOT-54
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - - 3
极性 NPN - NPN
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V -
集电极最大允许电流 1A - -
最小电流放大倍数(hFE) - 9 @750mA, 5V -
额定功率(Max) - 2 W -
针脚数 - - 3
耗散功率 - - 2.1 W
直流电流增益(hFE) - - 7
工作温度(Max) - - 150 ℃
封装 SC-73 TO-226-3 SOT-54
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
工作温度 - 150℃ (TJ) -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17