BUJ100AT、BUJ100,412、BUJ100LR对比区别

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型号 BUJ100AT BUJ100,412 BUJ100LR

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorTrans GP BJT NPN 400V 1A 3Pin SPT BulkNXP  BUJ100LR  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 2.1 W, 1 A, 7.5 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

封装 SC-73 TO-226-3 SOT-54

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - - 3

极性 NPN - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V -

集电极最大允许电流 1A - -

最小电流放大倍数(hFE) - 9 @750mA, 5V -

额定功率(Max) - 2 W -

针脚数 - - 3

耗散功率 - - 2.1 W

直流电流增益(hFE) - - 7

工作温度(Max) - - 150 ℃

封装 SC-73 TO-226-3 SOT-54

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

工作温度 - 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17