BUJ100,412
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NXP
恩智浦
分立器件
BUJ100,412中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 400 V
最小电流放大倍数hFE 9 @750mA, 5V
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUJ100,412引脚图与封装图
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在线购买BUJ100,412
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUJ100,412 | NXP 恩智浦 | Trans GP BJT NPN 400V 1A 3Pin SPT Bulk | 搜索库存 |
替代型号BUJ100,412
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUJ100,412 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT54 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 400V 1A 3Pin SPT Bulk | 当前型号 |
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