IXFH20N60、SUP75N08-10、STW20NM60对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXFH20N60 SUP75N08-10 STW20NM60

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH20N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 350 mohm, 10 V, 4.5 VMOSFET 75V 75A 187WSTMICROELECTRONICS  STW20NM60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 75.0 V 650 V

漏源极电阻 350 mΩ 10.0 mΩ 0.25 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 3.70 W 192 W

漏源击穿电压 300 V 75.0 V 600 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 75.0 A 20.0 A

额定电流 20.0 A - 20.0 A

针脚数 3 - 3

阈值电压 4.5 V - 4 V

输入电容 3.30 nF - -

栅电荷 90.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V

上升时间 43 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) - 1500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W - 192 W

下降时间 40 ns - 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300W (Tc) - 192W (Tc)

通道数 - - 1

长度 - 10.41 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 15.49 mm -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

材质 Silicon - -

重量 6 g - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)