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BZT52H-C5V1,115、MMSZ5231BT1G、MMSZ4689T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-C5V1,115 MMSZ5231BT1G MMSZ4689T1G

描述 NXP  BZT52H-C5V1,115  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C500mW,MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1G 系列,ON Semiconductor表面安装外壳,SOD-123 ### Zener Diodes, ON SemiconductorON SEMICONDUCTOR  MMSZ4689T1G  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-123F SOD-123-2 SOD-123-2

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

针脚数 2 2 2

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA 900mV @10mA

耗散功率 375 mW 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 20 mA 0.05 mA

稳压值 5.1 V 5.1 V 5.1 V

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA 900mV @10mA

额定功率(Max) 375 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 830 mW 500 mW 500 mW

额定电压(DC) - 5.10 V 5.10 V

额定功率 - 500 mW 500 mW

击穿电压 - 5.36 V 5.36 V

正向电流 - 10 mA 10 mA

工作结温(Max) - 150 ℃ 150 ℃

长度 2.7 mm 2.69 mm 2.69 mm

宽度 1.7 mm 1.6 mm 1.6 mm

高度 1.2 mm 1.12 mm 1.12 mm

封装 SOD-123F SOD-123-2 SOD-123-2

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

温度系数 -0.75 mV/K - -

材质 - Plastic Plastic

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - ECL99 EAR99