FDMS8460、FDS4070N7、IRLH5034TR2PBF对比区别

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型号 FDMS8460 FDS4070N7 IRLH5034TR2PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS8460  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1.9 V40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFETINFINEON  IRLH5034TR2PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56-8 SOIC-8 PowerVDFN-8

额定电压(DC) - 40.0 V -

额定电流 - 15.3 A -

漏源极电阻 0.002 Ω 7.00 mΩ 0.002 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 104 W 3 W 3.6 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - 40.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 25A 15.3 A 29A

上升时间 9 ns 12 ns 54 ns

输入电容(Ciss) 7205pF @20V(Vds) 2819pF @20V(Vds) 4730pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 3 W -

下降时间 7 ns 29 ns 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 3W (Ta) 3.6W (Ta), 156W (Tc)

针脚数 8 - 8

阈值电压 1.9 V - 1 V

长度 5 mm 4.9 mm 6 mm

宽度 6 mm 3.9 mm 5 mm

高度 1.05 mm 1.75 mm 0.83 mm

封装 Power-56-8 SOIC-8 PowerVDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -