针脚数 8
漏源极电阻 0.002 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 7205pF @20VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMS8460 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8460 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1.9 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDMS8460 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 40V 25A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8460 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1.9 V | 当前型号 | |
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型号: FDS4070N7 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 40V 15.3A 7mohms | 功能相似 | 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDMS8460和FDS4070N7的区别 |