SPP80N06S2L-05、STP80NF55-06、STP140NF55对比区别
型号 SPP80N06S2L-05 STP80NF55-06 STP140NF55
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorSTMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VMOSFET 晶体管,STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0065 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55.0 V 55 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 - 155 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 7530pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 300 W
下降时间 - 65 ns 45 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
输入电容 7.53 nF - -
栅电荷 230 nC - -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17