额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 300W Tc
输入电容 7.53 nF
栅电荷 230 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 7530pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SPP80N06S2L-05 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SPP80N06S2L-05 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 7.53nF | 当前型号 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | 当前型号 | |
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型号: STP80NF55-08 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 8mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V | SPP80N06S2L-05和STP80NF55-08的区别 | |
型号: STP140NF55 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 8mohms | 功能相似 | MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | SPP80N06S2L-05和STP140NF55的区别 |