IRF9953PBF、IRF9953TR、IRF9953对比区别

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型号 IRF9953PBF IRF9953TR IRF9953

描述 INFINEON  IRF9953PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -1 VSOIC P-CH 30V 2.3ASOIC P-CH 30V 2.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -2.30 A

极性 P-Channel P-CH P-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 2.3A 2.3A 2.30 A

上升时间 14 ns - 14.0 ns

输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

额定功率 2 W - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.25 Ω - -

耗散功率 2 W - -

阈值电压 1 V - -

下降时间 6.9 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2 W - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -