IRF9953TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF9953TR中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.3A
输入电容Ciss 190pF @15VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF9953TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF9953TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF9953TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC P-CH | 当前型号 | SOIC P-CH 30V 2.3A | 当前型号 |
| 型号： IRF9953TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： 8-SOIC P-CH 30V 2.3A | 完全替代 | HEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF9953TR和IRF9953TRPBF的区别 |
| 型号： IRF9953PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-Channel 30V 2.3A | 类似代替 | INFINEON IRF9953PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2.3 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -1 V | IRF9953TR和IRF9953PBF的区别 |
| 型号： IRF7504TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： µSOIC Dual P-Channel 20V 1.7A | 功能相似 | INFINEON IRF7504TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.27 ohm, -4.5 V, -700 mV 新 | IRF9953TR和IRF7504TRPBF的区别 |