IRFU5305、IRFU5305PBF、MTB30P06VT4G对比区别
型号 IRFU5305 IRFU5305PBF MTB30P06VT4G
描述 IPAK P-CH 55V 31AP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-263-3
额定电压(DC) -55.0 V - -60.0 V
额定电流 -28.0 A - -30.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 0.065 Ω 80 mΩ
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 110W (Tc) 69 W 3 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60 V
栅源击穿电压 - - ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31A 30.0 A
上升时间 66 ns 66 ns 25.9 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 3 W
下降时间 63 ns 63 ns 52.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc)
产品系列 IRFU5305 - -
额定功率 - 89 W -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
长度 - 6.6 mm 10.29 mm
宽度 - 2.3 mm 9.65 mm
高度 - 6.1 mm 4.83 mm
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-263-3
脚长度 - 9.65 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99