FDPF18N50T、FQPF18N50V2、FQPF18N50V2SDTU对比区别

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型号 FDPF18N50T FQPF18N50V2 FQPF18N50V2SDTU

描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN沟道 500V 18A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 18.0 A 18.0 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 265 mΩ 225 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 38.5 W 69W (Tc) 69 W

输入电容 2.86 nF 2.53 nF -

栅电荷 60.0 nC 42.0 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 72.0 A 18.0 A 18A

上升时间 165 ns 150 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 2860pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 38.5 W 69 W -

下降时间 90 ns - 110 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 38.5W (Tc) 69W (Tc) -

长度 10.36 mm - 10.67 mm

宽度 4.9 mm - 4.7 mm

高度 16.07 mm - 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99