锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
FDPF18N50T

FDPF18N50T

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Description

UniFET™ MOSFET is Semiconductor®’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Features

• RDSon = 265 mΩ Max. @ VGS = 10 V, ID = 9A

• Low Gate Charge Typ. 45 nC

• Low Crss Typ. 25 pF

• 100% Avalanche Tested

Applications

• LCD/LED/PDP TV

• Lighting

• Uninterruptible Power Supply

FDPF18N50T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 18.0 A

通道数 1

漏源极电阻 265 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 38.5 W

输入电容 2.86 nF

栅电荷 60.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 72.0 A

上升时间 165 ns

输入电容Ciss 2860pF @25VVds

额定功率Max 38.5 W

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDPF18N50T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDPF18N50T
型号 制造商 描述 购买
FDPF18N50T Fairchild 飞兆/仙童 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FDPF18N50T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDPF18N50T

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-220-3 N-Channel 500V 72A 265mohms 2.86nF

当前型号

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： FQPF18N50V2

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-220-3 N-Channel 500V 18A 225mohms 2.53nF

类似代替

500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

FDPF18N50T和FQPF18N50V2的区别

型号： FQPF18N50V2SDTU

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO N-CH 500V 18A

类似代替

N沟道 500V 18A

FDPF18N50T和FQPF18N50V2SDTU的区别

型号： STP15NK50ZFP

品牌： 意法半导体

封装： TO-220-3 N-Channel 500V 14A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP15NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V

FDPF18N50T和STP15NK50ZFP的区别