EMG2DXV5T1G、EMG2DXV5T5G、EMG2DXV5T1对比区别

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型号 EMG2DXV5T1G EMG2DXV5T5G EMG2DXV5T1

描述 双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkON Semiconductor### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 -

封装 SOT-553 SOT-553-5 SOT-553

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 338 mW 230 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 230 mW 230 mW 230 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 338 mW 338 mW -

无卤素状态 - Halogen Free -

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

高度 0.55 mm 0.6 mm -

封装 SOT-553 SOT-553-5 SOT-553

长度 - 1.7 mm -

宽度 - 1.3 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -