IRFP150N、IRFP150NPBF、BUZ344对比区别

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型号 IRFP150N IRFP150NPBF BUZ344

描述 TO-247AC N-CH 100V 42AINFINEON  IRFP150NPBF  晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 42 A, 100 V, 36 mohm, 10 V, 4 VSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-218

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 42A 50A

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 42.0 A - -

漏源极电阻 36.0 mΩ 0.036 Ω -

耗散功率 160W (Tc) 140 W -

产品系列 IRFP150N - -

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 56 ns 56 ns -

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) -

下降时间 40 ns 40 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) -

额定功率 - 140 W -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1900 pF -

额定功率(Max) - 160 W -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-218

长度 - 15.9 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 20.3 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -