额定电压DC 100 V
额定电流 42.0 A
漏源极电阻 36.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160W Tc
产品系列 IRFP150N
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 42.0 A
上升时间 56 ns
输入电容Ciss 1900pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Full-Bridge, Push-Pull, Consumer Full-Bridge
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFP150N 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-247 N-Channel 100V 42A 36mΩ | 当前型号 | TO-247AC N-CH 100V 42A | 当前型号 |
| 型号： IRFP150NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 42A | 类似代替 | INFINEON IRFP150NPBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 42 A, 100 V, 36 mohm, 10 V, 4 V | IRFP150N和IRFP150NPBF的区别 |
| 型号： RFG40N10 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-247 N-Channel 100V 40A 40mohms | 功能相似 | 40A ， 100V ， 0.040 Ohm的N通道功率MOSFET 40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | IRFP150N和RFG40N10的区别 |
| 型号： BUZ344 品牌： 英飞凌 封装： TO-218AA N-CH 100V 50A | 功能相似 | SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor | IRFP150N和BUZ344的区别 |
