TN0200K-T1-E3、TN0200T、TN0200TT1对比区别

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型号 TN0200K-T1-E3 TN0200T TN0200TT1

描述 TRANS MOSFET N-CH 20V 0.73A 3Pin TO-236 T/RMOS(场效应管)/TN0200TSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.73A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Semiconductor (威世) Temic

分类 MOS管

封装 SOT-23-3 SOT-23 -

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 -

长度 3.04 mm - -

高度 1.02 mm - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) - -

漏源极电阻 0.5 Ω - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 0.35 W - -

阈值电压 600 mV - -

漏源极电压(Vds) 20 V - -

连续漏极电流(Ids) 730 mA - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 350mW (Ta) - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -