TN0200T
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
电子元器件分类
TN0200T中文资料参数规格
封装参数
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 730mA/0.73A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.4Ω/Ohm @600mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
TN0200T引脚图与封装图
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