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VNB35N0713TR、VNV35N07、VNB35N07TR-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNB35N0713TR VNV35N07 VNB35N07TR-E

描述 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAKâ ???? OMNIFETâ ???? :全AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  VNB35N07TR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 12 3

封装 TO-263-3 PowerSO-10 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

输出电流(Max) 25 A 25 A 25 A

输出电流 - - 35 A

供电电流 - 0.25 mA 0.25 mA

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 28.0 mΩ 0.028 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 125000 mW 125 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) - - 80 V

连续漏极电流(Ids) - 35.0 A 18.0 A

输入电压(Max) - - 18 V

输出电流(Min) - 25 A 25 A

输入数 - - 1

工作温度(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) - 125000 mW 125000 mW

输入电压 - - 18 V

额定电压(DC) - 70.0 V -

额定电流 - 35.0 A -

漏源击穿电压 - 70.0 V -

封装 TO-263-3 PowerSO-10 TO-263-3

长度 - - 10.2 mm

宽度 - - 9.15 mm

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99