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ADR445BRZ、ADR445BRZ-REEL7、REF5050AIDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR445BRZ ADR445BRZ-REEL7 REF5050AIDR

描述 ANALOG DEVICES  ADR445BRZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR445系列, 5V, NSOIC-8超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.04 % ±0.04 % ±0.1 %

输入电压(DC) 5.50V ~ 18.0V 18.0V (max) 5.20V ~ 18.0V

输出电压 5 V 5 V 5 V

输出电流 10 mA 10 mA 10 mA

供电电流 3.75 mA 3.75 mA 1.2 mA

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

静态电流 - - 800 µA

输入电压(Max) 20 V 20 V 18 V

输出电压(Max) 5 V 5 V 5 V

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA 10 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

精度 - ±0.04 % 0.05 %

输入电压 5.5V ~ 18V 5.5V ~ 18V 5.2V ~ 18V

额定电流 3.75 mA - -

输入电压(Min) 5.5 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃ ±8 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99