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BC857C、SBC857CLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857C SBC857CLT1G

描述 Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 --

制造商 Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz

针脚数 - 3

极性 - PNP

耗散功率 0.25 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW

直流电流增益(hFE) - 270

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 300 mW

增益频宽积 100 MHz -

长度 - 3.04 mm

宽度 - 2.64 mm

高度 - 1.11 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -