IRFZ30PBF、IRFZ34PBF对比区别
描述 VISHAY IRFZ30PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, TO-220ABVISHAY IRFZ34PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V 新
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.05 Ω 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 75 W 88 W
阈值电压 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 50 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
输入电容 - 1200pF @25V
上升时间 - 100 ns
输入电容(Ciss) - 1200pF @25V(Vds)
下降时间 - 52 ns
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 88000 mW
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.41 mm
宽度 - 4.7 mm
高度 - 9.01 mm
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃