IRFZ30PBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFZ30PBF引脚图与封装图
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在线购买IRFZ30PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFZ30PBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFZ30PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, TO-220AB | 搜索库存 |
替代型号IRFZ30PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFZ30PBF 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220-3 N-Channel 50V 30A | 当前型号 | VISHAY IRFZ30PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, TO-220AB | 当前型号 |
| 型号： IRFZ34PBF 品牌： 威世 封装： TO-220-3 N-Channel 60V 30A | 类似代替 | VISHAY IRFZ34PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V 新 | IRFZ30PBF和IRFZ34PBF的区别 |