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CY62167EV18LL-55BAXI、CY62167EV18LL-55BVXI、CY62167EV18LL-55BVI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62167EV18LL-55BAXI CY62167EV18LL-55BVXI CY62167EV18LL-55BVI

描述 16百万位元( 1M ×16 )静态RAM 16 Mbit (1M x 16) Static RAMCY62167EV18 系列 16 Mb (1 M x 16) 1.65 - 2.25 V 55 ns 静态 RAM - FBGA-4816百万位元( 1M ×16 )静态RAM 16 Mbit (1M x 16) Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

引脚数 - 48 48

安装方式 - - Surface Mount

存取时间 55 ns 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 2.25V 1.65V ~ 2.25V 1.65V ~ 2.25V

供电电流 - 30 mA -

针脚数 - 48 -

位数 - 16 16

存取时间(Max) - 55 ns 55 ns

电源电压(Max) - - 2.25 V

电源电压(Min) - - 1.65 V

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 VFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a