CY62167EV18LL-55BAXI

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

16百万位元（ 1M ×16 ）静态RAM 16 Mbit 1M x 16 Static RAM

SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 55ns 48-VFBGA 8x9.5

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CY62167EV18LL-55BAXI

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静态随机存取存储器 16Mbit 静态随机存取存储器 55ns 1.8V CMOS

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SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-Bit 1M x 16 55ns 48-Pin VFBGA

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SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-Bit 1M x 16 55ns 48-Pin VFBGA

CY62167EV18LL-55BAXI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 2.25V

封装参数

封装 VFBGA-48

外形尺寸

封装 VFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

CY62167EV18LL-55BAXI引脚图与封装图

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CY62167EV18LL-55BAXI	Cypress Semiconductor 赛普拉斯	16百万位元（ 1M ×16 ）静态RAM 16 Mbit 1M x 16 Static RAM	搜索库存

替代型号CY62167EV18LL-55BAXI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： CY62167EV18LL-55BAXI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯封装： VFBGA	当前型号	16百万位元（ 1M ×16 ）静态RAM 16 Mbit 1M x 16 Static RAM	当前型号
型号： CY62167EV18LL-55BVXI 品牌：赛普拉斯封装： VFBGA	完全替代	CY62167EV18 系列 16 Mb 1 M x 16 1.65 - 2.25 V 55 ns 静态 RAM - FBGA-48	CY62167EV18LL-55BAXI和CY62167EV18LL-55BVXI的区别
型号： CY62167EV18LL-55BVI 品牌：赛普拉斯封装： VFBGA	完全替代	16百万位元（ 1M ×16 ）静态RAM 16 Mbit 1M x 16 Static RAM	CY62167EV18LL-55BAXI和CY62167EV18LL-55BVI的区别
型号： CY62167EV18LL-55BVXIT 品牌：赛普拉斯封装： VFBGA	完全替代	CY62167EV18 系列 16 Mb 1 M x 16 1.65 - 2.25 V 55 ns 静态RAM - FBGA-48	CY62167EV18LL-55BAXI和CY62167EV18LL-55BVXIT的区别