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TLE2161ACDG4、TLE2161AIDR、TLE2161ACD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2161ACDG4 TLE2161AIDR TLE2161ACD

描述 IC OPAMP JFET 6.4MHz SGL 8SOIC运算放大器 - 运放 Excalibur JFET-Input Hi-Out-Drive uPower神剑JFET输入高输出驱动MPOWER运算放大器 EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - ≤80 mA ≤80 mA

供电电流 - 290 µA 290 µA

电路数 - 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 - 725 mW 0.725 W

共模抑制比 - 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K

带宽 5.80 MHz 5.80 MHz 5.80 MHz

转换速率 10.0 V/μs 10.0 V/μs 10.0 V/μs

增益频宽积 5.80 MHz 5.8 MHz 5.8 MHz

输入补偿电压 - 500 µV 500 µV

输入偏置电流 - 4 pA 4 pA

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 6.4 MHz 6.4 MHz

耗散功率(Max) - 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) - 65 dB 65 dB

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free