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TLV2780IDG4、TSV911IDT、TLV2780IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2780IDG4 TSV911IDT TLV2780IDR

描述 Single 1.8V RRIO, 8MHz Amplifier with Shutdown 8-SOIC -40℃ to 125℃TSV911 系列 5.5 V 8 MHz 轨对轨输入/输出 运算放大器 - SOIC-8家庭的1.8V高速轨至轨输入输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 1.8V HIGH SPEED RAIL TO RAIL INPUT OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - 35mA @5V -

供电电流 650 µA 820 µA 650 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 - 58 dB -

带宽 8.00 MHz 8.00 MHz 8.00 MHz

转换速率 4.30 V/μs 4.50 V/μs 5.00 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 8 MHz

输入补偿电压 250 µV 100 µV 250 µV

输入偏置电流 2.5 pA 1 pA 2.5 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

增益带宽 - 8 MHz 8 MHz

共模抑制比(Min) - 62 dB 70 dB

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

输入补偿漂移 8.00 µV/K - 8.00 µV/K

耗散功率 - - 710 mW

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -