IPP80N06S2H5AKSA1、IPP80N06S2H5AKSA2、STP80NF55-08对比区别

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型号 IPP80N06S2H5AKSA1 IPP80N06S2H5AKSA2 STP80NF55-08

描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2H5AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装N-CH 55V 80ASTMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A

上升时间 23 ns 23 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 22 ns 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 80.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.008 Ω

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 55.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) - - 300 W

长度 10 mm - 10.4 mm

宽度 4.4 mm - 4.6 mm

高度 15.65 mm - 15.75 mm

封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17