MCP6H02-E/SN、TS922IYDT、TLC2262IDG4对比区别
型号 MCP6H02-E/SN TS922IYDT TLC2262IDG4
描述 MICROCHIP MCP6H02-E/SN 运算放大器, 双路, 1.2 MHz, 2个放大器, 0.8 V/µs, ± 1.75V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚轨到轨,高输出电流双运算放大器 Rail-to-rail, high output current dual operational amplifierTEXAS INSTRUMENTS TLC2262IDG4 运算放大器, 双路, 820 kHz, 2个放大器, 0.55 V/µs, ± 2.2V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 3.50V (min) - 16.0 V
工作电压 3.5V ~ 16V - -
输出电流 50 mA 80 mA ≤50 mA
供电电流 135 µA 2 mA 425 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 - 2
针脚数 8 8 8
共模抑制比 100 dB 60 dB 70 dB
静态电流 185 µA - -
输入补偿漂移 2.50 µV/K - 2.00 µV/K
带宽 1.2 MHz 4 MHz 820 kHz
转换速率 800 mV/μs - 550 mV/μs
增益频宽积 1.2 MHz 4 MHz 0.82 MHz
输入补偿电压 700 µV 3 mV 300 µV
输入偏置电流 10 pA 15 nA 1 pA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 1.2 MHz 4 MHz 0.82 MHz
共模抑制比(Min) 78 dB 60 dB 70 dB
电源电压 3.5V ~ 16V 2.7V ~ 12V -
电源电压(Max) 16 V - 16 V
电源电压(Min) 3.5 V - 4.4 V
耗散功率 - - 725 mW
过温保护 - - No
耗散功率(Max) - - 725 mW
长度 4.9 mm 5 mm 4.9 mm
宽度 3.9 mm 4 mm 3.91 mm
高度 1.25 mm 1.65 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -