MCP6H02-E/SN、TS922IYDT、TLC2262IDG4对比区别

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型号 MCP6H02-E/SN TS922IYDT TLC2262IDG4

描述 MICROCHIP  MCP6H02-E/SN  运算放大器, 双路, 1.2 MHz, 2个放大器, 0.8 V/µs, ± 1.75V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚轨到轨，高输出电流双运算放大器 Rail-to-rail, high output current dual operational amplifierTEXAS INSTRUMENTS  TLC2262IDG4  运算放大器, 双路, 820 kHz, 2个放大器, 0.55 V/µs, ± 2.2V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 3.50V (min) - 16.0 V

工作电压 3.5V ~ 16V - -

输出电流 50 mA 80 mA ≤50 mA

供电电流 135 µA 2 mA 425 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 - 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 100 dB 60 dB 70 dB

静态电流 185 µA - -

输入补偿漂移 2.50 µV/K - 2.00 µV/K

带宽 1.2 MHz 4 MHz 820 kHz

转换速率 800 mV/μs - 550 mV/μs

增益频宽积 1.2 MHz 4 MHz 0.82 MHz

输入补偿电压 700 µV 3 mV 300 µV

输入偏置电流 10 pA 15 nA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.2 MHz 4 MHz 0.82 MHz

共模抑制比(Min) 78 dB 60 dB 70 dB

电源电压 3.5V ~ 16V 2.7V ~ 12V -

电源电压(Max) 16 V - 16 V

电源电压(Min) 3.5 V - 4.4 V

耗散功率 - - 725 mW

过温保护 - - No

耗散功率(Max) - - 725 mW

长度 4.9 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.25 mm 1.65 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -