FQA24N60、FQA34N25、STP5NK50Z对比区别

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型号 FQA24N60 FQA34N25 STP5NK50Z

描述 ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 250 V 500 V

额定电流 - 34.0 A 4.40 A

漏源极电阻 0.24 Ω 85.0 mΩ 1.22 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 245W (Tc) 70 W

漏源极电压(Vds) 600 V 250 V 500 V

漏源击穿电压 - 250 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 34.0 A 4.40 A

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2750pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 245 W 70 W

耗散功率(Max) 310 W 245W (Tc) 70W (Tc)

针脚数 3 - -

阈值电压 5 V - 3.75 V

上升时间 270 ns - 10 ns

下降时间 170 ns - 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 - - 70 W

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3

长度 15.8 mm - -

宽度 5 mm - -

高度 18.9 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99