FQA34N25
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA34N25中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 34.0 A
漏源极电阻 85.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 245W Tc
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 34.0 A
输入电容Ciss 2750pF @25VVds
额定功率Max 245 W
耗散功率Max 245W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQA34N25引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA34N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA34N25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 250V 34A 85mohms | 当前型号 | 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQA24N60 品牌： 安森美 封装： TO-3P-3 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装 | FQA34N25和FQA24N60的区别 |